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| 参数 | 属性值 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A TSOP6MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品型号 | IRLTS6342TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 8.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-tsop6-hexfet/3211 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.3A （Ta） |
| 配置 | Single Quad Drain |
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