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参数 | 属性值 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220MOSFET 500V P-Channel QFET |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据手册 | |
产品型号 | FQP3P50 |
Pd-PowerDissipation | 85 W |
Pd-功率耗散 | 85 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 56 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.9 欧姆 @ 1.35A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 85W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2.35 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
系列 | FQP3P50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
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