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商品分类
注:图像仅供参考,请参阅产品规格 数据手册
FQP3P50
品牌  : 
ON(安森美)
封装  : 
TO-220
包装  : 
1000个/盒(管装)
重量  : 
2.16g
描述  : 
库存 :
13126 (起订量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
12.914
合计 :
¥12.914
梯度
内地(含税)
香港
1 +
12.914
$0.000
100 +
9.2245
$
1000 +
9.0400
$
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
参数属性值
ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220MOSFET 500V P-Channel QFET

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

数据手册

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产品型号

FQP3P50

Pd-PowerDissipation

85 W

Pd-功率耗散

85 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.9 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.9 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 500 V

Vds-漏源极击穿电压

- 500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

56 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.9 欧姆 @ 1.35A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

85W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

2.35 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

系列

FQP3P50

通道模式

Enhancement

配置

Single


产品手册
常见问题

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