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注：图像仅供参考，请参阅产品规格
数据手册
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 参数 | 属性值 |
|---|---|
| 商品系列 | 场效应管(MOSFET) |
| 通用封装 | TO-3P-3 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 最大功率耗散 | 150W |
| Id-连续漏极电流 | 9A |
| 栅极电荷 | 67.8nC@ 10V |
| Vgs-栅源极电压 | 30V |
| FET类型 | 1个N沟道 |
| Vgs(th)-栅源极阈值电压 | 4.5V@ 250µA |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| Rds(On)-漏源导通电阻 | 1.28mΩ |
常见问题
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