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注：图像仅供参考，请参阅产品规格
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产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 | |
| IGBT | |
| IGBT 模块 | |
| 制造商 | onsemi |
| 系列 | - |
| 包装 | 托盘 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 140 A |
| 功率 - 最大值 | 280 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，160A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 800 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 38164 pF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 是 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | 30-PIM（71x37.4） |
常见问题
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