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类型 | 描述 |
类别 | 分立半导体产品 |
晶体管 | |
IGBT | |
单 IGBT | |
制造商 | onsemi |
包装 | 管装 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 120 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 180 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,60A |
功率 - 最大值 | 306 W |
开关能量 | 2.46mJ(开),520µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 84 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 25.6ns/71ns |
测试条件 | 400V,60A,6 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 110 ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
基本产品编号 | FGA6560 |
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