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商品分类
注:图像仅供参考,请参阅产品规格 数据手册
FGA6560WDF
品牌  : 
ON(安森美)
封装  : 
TO-3P
包装  : 
管装
重量  : 
6.853g
描述  : 
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 306 W 通孔 TO-3PN
库存 :
4500 (起订量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
17.628
合计 :
¥17.628
梯度
内地(含税)
香港
1 +
17.628
$0.000
100 +
16.159
$
1000 +
14.69
$
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
类型描述
类别分立半导体产品
晶体管
IGBT
单 IGBT
制造商onsemi
包装管装
IGBT 类型沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)180 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值306 W
开关能量2.46mJ(开),520µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷84 nC
25°C 时 Td(开/关)值25.6ns/71ns
测试条件400V,60A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)110 ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3PN
基本产品编号FGA6560


产品手册
常见问题

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