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类型 | 描述 |
类别 | 分立半导体产品 |
晶体管 | |
FET,MOSFET | |
单 FET,MOSFET | |
制造商 | onsemi |
包装 | 卷带(TR) |
剪切带(CT) | |
定制卷带 | |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 1.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 140 pF @ 5 V |
功率耗散(最大值) | 420mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
基本产品编号 | MGSF1 |
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