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产品属性 | 属性值 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 详细信息 |
技术: | Si |
安装风格: | 通孔 |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
晶体管极性: | N通道 |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 1.2 kV |
Id-连续漏极电流: | 12 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 690 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 44.2 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 250 W |
商标名: | MDmesh |
系列: | STW12N120K5 |
封装: | Tube |
商标: | STMicroelectronics |
配置: | Single |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 6 g |
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