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注：图像仅供参考，请参阅产品规格
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产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 类型 | 描述 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 | |
| FET，MOSFET | |
| 单 FET，MOSFET | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管装 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 62A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 146 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3247 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | IRF3205 |
常见问题
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