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属性 | 参数值 |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 850mA |
功率(Pd) | 690mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 530mΩ@4.5V,550mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 750mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 530pC@2.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 58pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.4pF@10V |
工作温度 | +150℃@(Tj) |
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